CAB425M12XM3
Active - 1.2KV, 425A SWITCHING LOSS OPTIM
Kuvaus:
1.2KV, 425A SWITCHING LOSS OPTIM
CAB425M12XM3 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
FET-tyyppi
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-ominaisuus
Silicon Carbide (SiC)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
1200V (1.2kV)
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
450A
Rds päällä (max) @ id, vgs
4.2mOhm @ 425A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 115mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1135nC @ 15V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
30.7nF @ 800V
Käyttölämpötila
-40 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Chassis Mount
Toimittajan laitepaketti
-
