Uutuudet

Laadunvalvonta

Arvion

IPP020N06NAKSA1

Active - MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3

Valmistaja:

Infineon Technologies

Mfr osa #

IPP020N06NAKSA1

Luokka:

Transistorit - FET:t, MOSFETit - Yksittäiset

Taulukkonäkymän:

IPP020N06NAKSA1

Kuvaus:

MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3

IPP020N06NAKSA1 Spesifikaatio

Tuotteen Ominaisuus

Määritteen Arvo

Luokka

Transistorit - FET:t, MOSFETit - Yksittäiset

Valmistaja

Infineon Technologies

Sarja

OptiMOS

Pakkaaminen

Tube

Tuotteen Tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännite (Vdss)

60 V

Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C

29A (Ta), 120A (Tc)

Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)

6V, 10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

2mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.8V @ 143μA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

106 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

?0V

Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds

7800 pF @ 30 V

FET-ominaisuus

-

Tehon häviö (enintään)

3W (Ta), 214W (Tc)

Käyttölämpötila

-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)

Asennustyyppi

Through Hole

Toimittajan laitepaketti

PG-TO220-3

Paketti / Kotelo

TO-220-3

IPP020N06NAKSA1 Varasto: 7840

Historia Hinta

$5.01000

5.0 / 5.0

IPP020N06NAKSA1

IPP020N06NAKSA1 Spesifikaatio

IPP020N06NAKSA1 Varasto: 7840

IPP020N06NAKSA1 Liittyvät osat