Uutuudet

Laadunvalvonta

Arvion

IPP80R450P7XKSA1

Active - MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3

Valmistaja:

Infineon Technologies

Mfr osa #

IPP80R450P7XKSA1

Luokka:

Transistorit - FET:t, MOSFETit - Yksittäiset

Taulukkonäkymän:

IPP80R450P7XKSA1

Kuvaus:

MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3

IPP80R450P7XKSA1 Spesifikaatio

Tuotteen Ominaisuus

Määritteen Arvo

Luokka

Transistorit - FET:t, MOSFETit - Yksittäiset

Valmistaja

Infineon Technologies

Sarja

CoolMOS

Pakkaaminen

Bulk or Tube

Tuotteen Tila

Active

FET-tyyppi

N-Channel

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Tyhjennä lähdejännite (Vdss)

800 V

Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C

11A (Tc)

Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)

10V

Rds päällä (max) @ id, vgs

450mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 220μA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24 nC @ 10 V

Vgs (enintään)

?0V

Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds

770 pF @ 500 V

FET-ominaisuus

Super Junction

Tehon häviö (enintään)

73W (Tc)

Käyttölämpötila

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

Asennustyyppi

Through Hole

Toimittajan laitepaketti

PG-TO220-3

Paketti / Kotelo

TO-220-3

IPP80R450P7XKSA1 Varasto: 4160

Historia Hinta

$1.00000

5.0 / 5.0

IPP80R450P7XKSA1

IPP80R450P7XKSA1 Spesifikaatio

IPP80R450P7XKSA1 Varasto: 4160

IPP80R450P7XKSA1 Liittyvät osat