1N1613
Active - DIODE GEN PURP 100V 16A DO4
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 100V 16A DO4
1N1613 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
100 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
16A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1.3 V @ 30 A
Nopeus
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
-
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
10 μA @ 100 V
Paketti / Kotelo
DO-203AA, DO-4, Stud
Toimittajan laitepaketti
DO-4 (DO-203AA)
Käyttölämpötila - risteys
-65 ℃ ~ 200 ℃
