1N6642
Active - DIODE GEN PURPOSE
Kuvaus:
DIODE GEN PURPOSE
1N6642 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
75 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
300mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1.2 V @ 100 mA
Nopeus
Fast Recovery = 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
5 ns
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
500 nA @ 75 V
Kapasitanssi @ Vr, F
5pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
DO-204AH, DO-35, Axial
Toimittajan laitepaketti
DO-35 (DO-204AH)
Käyttölämpötila - risteys
-65 ℃ ~ 175 ℃
