1N6653
Active - DIODE GEN PURP 200V 20A TO59
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 200V 20A TO59
1N6653 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
200 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
20A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1 V @ 30 A
Nopeus
Fast Recovery = 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
35 ns
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
10 μA @ 200 V
Paketti / Kotelo
TO-210AA, TO-59-4, Stud
Toimittajan laitepaketti
TO-59
Käyttölämpötila - risteys
-55 ℃ ~ 175 ℃
