1N6664
Active - DIODE GEN PURP 100V 10A TO257
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 100V 10A TO257
1N6664 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
100 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
10A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1 V @ 10 A
Nopeus
Fast Recovery = 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
35 ns
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
-
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
TO-257-3
Toimittajan laitepaketti
TO-257
Käyttölämpötila - risteys
200 ℃
