1N6775
Active - DIODE GEN PURP 100V 15A TO257
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 100V 15A TO257
1N6775 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
100 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
15A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1.15 V @ 15 A
Nopeus
Fast Recovery = 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
35 ns
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
10 μA @ 800 mV
Kapasitanssi @ Vr, F
300pF @ 5V, 1MHz
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
TO-257-3
Toimittajan laitepaketti
TO-257
Käyttölämpötila - risteys
-65 ℃ ~ 150 ℃
