NTE177
Active - DIODE GEN PURP 200V 250MA DO35
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 200V 250MA DO35
NTE177 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
200 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
250mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1.25 V @ 200 mA
Nopeus
Fast Recovery = 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
50 ns
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
100 nA @ 150 V
Kapasitanssi @ Vr, F
1.5pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
DO-204AH, DO-35, Axial
Toimittajan laitepaketti
DO-35
Käyttölämpötila - risteys
175 ℃ (Max)
