NTE507
Active - DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
NTE507 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
50 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1.2 V @ 1 A
Nopeus
Fast Recovery = 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
200 ns
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
5 μA @ 50 V
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
DO-204AL, DO-41, Axial
Toimittajan laitepaketti
DO-41
Käyttölämpötila - risteys
-65 ℃ ~ 150 ℃
