NTE5825
Active - DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4
NTE5825 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
1000 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
12A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1.4 V @ 12 A
Nopeus
Fast Recovery = 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
400 ns
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
25 μA @ 1000 V
Paketti / Kotelo
DO-203AA, DO-4, Stud
Toimittajan laitepaketti
DO-4
Käyttölämpötila - risteys
-65 ℃ ~ 150 ℃
