NTE5849
Active - DIODE GEN PURP 1KV 3A DO4
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO4
NTE5849 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
1000 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
3A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1.2 V @ 3 A
Nopeus
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
-
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
10 μA @ 1000 V
Paketti / Kotelo
DO-203AA, DO-4, Stud
Toimittajan laitepaketti
DO-4
Käyttölämpötila - risteys
-65 ℃ ~ 175 ℃
