NTE5865
Active - DIODE GEN PURP 200V 30A DO4
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 200V 30A DO4
NTE5865 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
200 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
30A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1.2 V @ 30 A
Nopeus
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
-
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
1 mA @ 200 V
Paketti / Kotelo
DO-203AA, DO-4, Stud
Toimittajan laitepaketti
DO-4
Käyttölämpötila - risteys
-40 ℃ ~ 175 ℃
