NTE5866
Active - DIODE GEN PURP 800V 6A DO4
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 800V 6A DO4
NTE5866 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
800 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
6A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1.1 V @ 19 A
Nopeus
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
-
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
12 mA @ 800 V
Paketti / Kotelo
DO-203AA, DO-4, Stud
Toimittajan laitepaketti
DO-4
Käyttölämpötila - risteys
-65 ℃ ~ 175 ℃
