NTE5895
Active - DIODE GEN PURP 100V 16A DO4
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 100V 16A DO4
NTE5895 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
100 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
16A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1.23 V @ 50 A
Nopeus
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
-
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
12 mA @ 100 V
Paketti / Kotelo
DO-203AA, DO-4, Stud
Toimittajan laitepaketti
DO-4
Käyttölämpötila - risteys
-65 ℃ ~ 175 ℃
