NTE621
Active - DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
NTE621 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
400 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1.1 V @ 1 A
Nopeus
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
-
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
10 μA @ 400 V
Kapasitanssi @ Vr, F
15pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / Kotelo
DO-213AB, MELF (Glass)
Toimittajan laitepaketti
DO-213AB
Käyttölämpötila - risteys
-65 ℃ ~ 175 ℃
