NTE649G
Active - DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
NTE649G Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
400 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1.3 V @ 1 A
Nopeus
Fast Recovery = 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
150 ns
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
5 μA @ 400 V
Kapasitanssi @ Vr, F
10pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / Kotelo
DO-214AC, SMA
Toimittajan laitepaketti
DO-214AC (SMA)
Käyttölämpötila - risteys
-55 ℃ ~ 150 ℃
