FDN306P
Active - MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Kuvaus:
MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
FDN306P Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
12 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
2.6A (Ta)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
1.8V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
1138 pF @ 6 V
Tehon häviö (enintään)
500mW (Ta)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
SOT-23-3
Paketti / Kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
