FDN352AP
Active - MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Kuvaus:
MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
FDN352AP Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
1.3A (Ta)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
180mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.9 nC @ 4.5 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
150 pF @ 15 V
Tehon häviö (enintään)
500mW (Ta)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
SOT-23-3
Paketti / Kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
