FDR6580
Obsolete - MOSFET N-CH 20V 11.2A SUPERSOT8
Kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 11.2A SUPERSOT8
FDR6580 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
20 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
11.2A (Ta)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
2.5V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
9mOhm @ 11.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 4.5 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
3829 pF @ 10 V
Tehon häviö (enintään)
1.8W (Ta)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
SuperSOT?-8
Paketti / Kotelo
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
