FDR858P
Obsolete - MOSFET P-CH 30V 8A SUPERSOT8
Kuvaus:
MOSFET P-CH 30V 8A SUPERSOT8
FDR858P Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
8A (Ta)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
19mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 5 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
2010 pF @ 15 V
Tehon häviö (enintään)
1.8W (Ta)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
SuperSOT?-8
Paketti / Kotelo
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
