FDS6575
Active - MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Kuvaus:
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
FDS6575 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
20 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
10A (Ta)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
2.5V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
13mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 4.5 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
4951 pF @ 10 V
Tehon häviö (enintään)
2.5W (Ta)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC
Paketti / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
