FDS86106
Active - MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
FDS86106 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
3.4A (Ta)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
208 pF @ 50 V
Tehon häviö (enintään)
5W (Ta)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC
Paketti / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
