RM1216
Active - MOSFET P-CHANNEL 12V 16A 6DFN
Kuvaus:
MOSFET P-CHANNEL 12V 16A 6DFN
RM1216 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
12 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
16A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
2.5V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
18mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
2700 pF @ 10 V
Tehon häviö (enintään)
18W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
6-DFN (2x2)
Paketti / Kotelo
6-WDFN Exposed Pad
