STD10N60M6
Active - MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK
STD10N60M6 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
6.4A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
600mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.8 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
338 pF @ 100 V
Tehon häviö (enintään)
60W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
D-PAK (TO-252)
Paketti / Kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
;;2.jpg)
