STD10NM65N
Obsolete - MOSFET N-CH 650V 9A DPAK
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 9A DPAK
STD10NM65N Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
480mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
850 pF @ 50 V
Tehon häviö (enintään)
90W (Tc)
Käyttölämpötila
150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
DPAK
Paketti / Kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
;;2.jpg)
