STD4N80K5
Active - MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
STD4N80K5 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
3A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
175 pF @ 100 V
Tehon häviö (enintään)
60W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
DPAK
Paketti / Kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
;;2.jpg)
