STD7NM80-1
Obsolete - MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK
STD7NM80-1 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
6.5A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.05Ohm @ 3.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
620 pF @ 25 V
Tehon häviö (enintään)
90W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-251 (IPAK)
Paketti / Kotelo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
;;2.jpg)
