C4D02120A

Active - DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Kuvaus:
DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
C4D02120A Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Diodin tyyppi
Silicon Carbide Schottky
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
1200 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
10A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1.8 V @ 2 A
Nopeus
No Recovery Time >500mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
0 ns
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
50 μA @ 1200 V
Kapasitanssi @ Vr, F
167pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
TO-220-2
Toimittajan laitepaketti
TO-220-2
Käyttölämpötila - risteys
-55 ℃ ~ 175 ℃