C4D08120E
Active - DIODE SIL CARB 1.2KV 24.5A TO252
Kuvaus:
DIODE SIL CARB 1.2KV 24.5A TO252
C4D08120E Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Diodin tyyppi
Silicon Carbide Schottky
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
1200 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
24.5A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
3 V @ 2 A
Nopeus
No Recovery Time >500mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
0 ns
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
250 μA @ 1200 V
Kapasitanssi @ Vr, F
560pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / Kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
TO-252-2
Käyttölämpötila - risteys
-55 ℃ ~ 175 ℃
